東芝セミコンダクター社は、携帯電話向けに、同一デバイス内にプログラムなどを格納する二値記憶セルとデータ保存用の多値記憶セルを一体化し、任意に容量比率を設定できる大容量NAND型フラッシュメモリ「mobileLBA-NAND」を製品化、8月からサンプル出荷する。

〔特徴〕
・二値記憶領域と多値記憶領域を任意の容量で設定可能、二値記憶領域は用途に応じて最大8Gビットまで設定可能
・汎用的なNANDインターフェースを採用
・論理アドレス・アクセス方式の制御機能やエラー訂正（ECC）処理など一連の制御を行う
・メモリ容量　2、4、8、16、32Gビット