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はてなブックマークに追加   新開発　耐圧10000Ｖを超えるGaNパワー・トランジスタ

　松下電器産業(株)は、10000Ｖを超える耐圧をもつ窒化ガリウム（GaN）を用いた超高耐圧パワー・トランジスタを開発した。これは従来のGaNパワー・トランジスタの最高耐圧を5倍以上超えるもので、高耐圧かつ低損失な電力スイッチング素子として展開が期待できる。

〔特徴〕
・ 高耐圧：　サファイア基板への貫通電極構造、GaN結晶の高品質化により超高耐圧（10400V）を実現
・ 低オン抵抗：　材料限界に近い値（186mΩc㎡）を実現

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投稿者: kanzaki 日時: 2007年12月14日 09:28 | パーマリンク　｜ＴＯＰページへ   ▲画面上へ

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