インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(株)は、衛星に搭載する高信頼性スイッチング電源（SMPS）向けに、耐放射線特性を強化した耐圧60V、100V、250VのMOSFETを製品化した。CMOS/TTL標準論理レベルで駆動できるので、バイポーラ・トランジスタに比べ部品点数の削減や回路設計の簡素化に貢献する。

　nチャネルやpチャネルのMOSFETのシングル・チップやマルチチップを、SMD-0.5、SMD-2、LCC-28、14端子のフラット・パッケージ、TO-205AF、低抵抗のTO-257AA、MO-036ABなどの挿入実装や表面実装のパッケージに収めている。放射線特性は、トータルドーズ能力が最大300K Rad(Si)、シングル・イベント効果が82MeV。低オン抵抗、高速スイッチング、小型のため、バイポーラ・トランジスタの置き換えに適している。