はてなブックマークに追加   新製品 DC-DCコンバータ用パワーMOSFET U-MOS V-H MOSBDシリーズ

 東芝セミコンダクター社は、同期整流DC-DCコンバータのローサイドに使用されるMOSFETとSBDをモノリシック構造で1チップ化した「TPCA8A04-H」「TPC8A04-H」を開発した。従来独立で使用していたSBDの省略化と、MOSFET-SBD間の配線インダクタンスを削減することができ、デッドタイム期間中の損失低減に貢献する。

特徴

  • コンパクト化:ローサイド用MOSFETとSBDを1パッケージ化
  • 高効率:MOSFETはU-MOS V-Hプロセスを採用。MOSFETとSBDをモノリシック構造とすることにより寄生インダクタンスを削減、SBDを効果的に動作させ、デッドタイム期間中の損失を改善
  • ノイズ(スパイク電圧)抑止:リカバリ特性の改善によりスパイク電圧を約90%に低減

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投稿者: news 日時: 2008年8月19日 09:39 | パーマリンク |TOPページへ   ▲画面上へ

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